■ 관련법령(조특법 시행령 별표7의2) 분야국가전략기술반도체 가. 첨단 메모리 반도체 설계ㆍ제조 기술: 15nm이하급 D램 및 170단 이상 낸드플래시메모리 설계ㆍ제조 기술 나. 차세대 메모리반도체(STT-MRAM, PRAM, ReRAM, PIM) 설계ㆍ제조기술: 기존 메모리반도체인 D램(DRAM)과 낸드 플래시메모리(Nand Flash Memory)의 장점을 조합한 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory), PRAM(Phase-change Random Access Memory), ReRAM(Resistive Random Access Memory), 초거대 AI 응용을 위해 CPU와 메모리 간의 병목현상 해결을 목적으로 메모리반도체에..